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STFW3N150

产品简介:

RoHS是技术Si安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-3PF-3通道数量1 Channel晶体管极性N-ChannelVds-漏源极击穿电压1500 VId-连续漏极电流2.5 ARds On-漏源导通电阻9 Ohms配置SinglePd-功率耗散63 W系列N-channel MDmesh工厂包装数量50晶体管类型1 N-Channel单位重量7 g制造商STMicroelect

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产品介绍

RoHS
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-3PF-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压1500 V
Id-连续漏极电流2.5 A
Rds On-漏源导通电阻9 Ohms
配置Single
Pd-功率耗散63 W
系列N-channel MDmesh
工厂包装数量50
晶体管类型1 N-Channel
单位重量7 g
制造商STMicroelectronics
包装方式管件
寿命周期在售
FET 类型N 沟道
漏源电压(Vdss)1500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)29.3nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)939pF @ 25V
功率耗散(最大值)63W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 欧姆 @ 1.3A,10V
工作温度范围150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3 整包
相关标签:MOS管,STFW3N150,

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