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STGIB15CH60TS-L

产品简介:

制造商STMicroelectronics寿命周期在售类型IGBT电流20A电压600V电压 - 隔离1500Vrms封装/外壳26-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)RoHS是产品IGBT Silicon Modules配置3-Phase Inverter集电极—发射极最大电压 VCEO600 V集电极—射极饱和电压1.6 V在25 C的连续集电极电流15 APd-功率耗散7

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产品介绍

制造商STMicroelectronics
寿命周期在售
类型IGBT
电流20A
电压600V
电压 - 隔离1500Vrms
封装/外壳26-PowerDIP 模块(1.134",28.80mm)
RoHS
产品IGBT Silicon Modules
配置3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO600 V
集电极—射极饱和电压1.6 V
在25 C的连续集电极电流15 A
Pd-功率耗散75 W
封装 / 箱体SDIP2B-26L
最大工作温度+ 125 C
高度3.5 mm
长度38 mm
最小工作温度- 40 C
安装风格Through Hole
工作温度范围- 40 C to + 125 C
系列SLLIMM
工厂包装数量156
宽度24 mm
相关标签:MOS管,STGIB15CH60TS-L,

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